Vibrational properties of defective oxides and 2D nanolattices : insights from first-principles simulations /
Ge and III-V compounds, semiconductors with high carrier mobilities, are candidates to replace Si as the channel in MOS devices. 2D materials - like graphene and MoS_2 - are also envisioned to replace Si in the future. This thesis is devoted to the first-principles modeling of the vibrational prop...
Bewaard in:
Hoofdauteur: | |
---|---|
Coauteur: | |
Formaat: | E-boek |
Taal: | English |
Gepubliceerd in: |
Cham
Springer International Publishing
2014.
|
Reeks: | Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research
|
Onderwerpen: | |
Online toegang: | Click here to view the full text content |
Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
Het systeem is offline vanwege onderhoudswerken
Ons bibliotheek beheerssysteem is momenteel in onderhoud.
Reserveringen en beschikbaarheid van items momenteel niet beschikbaar. Met onze excuses. Contacteer ons voor hulp: