Vibrational properties of defective oxides and 2D nanolattices : insights from first-principles simulations /

Ge and III-V compounds, semiconductors with high carrier mobilities, are candidates to replace Si as the channel in MOS devices. 2D materials - like graphene and MoS_2 - are also envisioned to replace Si in the future.   This thesis is devoted to the first-principles modeling of the vibrational prop...

Volledige beschrijving

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Scalise, Emilio (Auteur)
Coauteur: SpringerLink (Online service)
Formaat: E-boek
Taal:English
Gepubliceerd in: Cham Springer International Publishing 2014.
Reeks:Springer Theses, Recognizing Outstanding Ph.D. Research
Onderwerpen:
Online toegang:Click here to view the full text content
Tags: Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!

Het systeem is offline vanwege onderhoudswerken

Ons bibliotheek beheerssysteem is momenteel in onderhoud.

Reserveringen en beschikbaarheid van items momenteel niet beschikbaar. Met onze excuses. Contacteer ons voor hulp:

david@pintaran.my

Internet

Click here to view the full text content