Study of aspect ratio performance on silicon oxide etching using profiler meter, AFM and SEM
The scope of this final year project is to get a high aspect ratio for etch profile using wet etching technique. After etching process using Buffered Oxide Etch (BOE), the structure profile had to viewed under profiler meter, Atomic Forces Microscopy (AFM) Scanning Electron Microscope (SEM).
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nur Syuhada Md. Desa (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | الكتروني برمجيات قاعدة البيانات |
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Reactive ion etching (RIE) etched wet-silica-on-silicon analysis for fluidwettability
بواسطة: Noor Aini Hamimah Abd. Rahim -
Study of the effect of different gases parameter in dry etching process on etch rate profile
بواسطة: Zaharah Mohamad -
MIMOS Semiconductor (M) Sdn. Bhd. (MySem)
بواسطة: Mohammad Hifzan Saibudin -
Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
بواسطة: Mohamad Fadzli Ali -
Nanostructure formation using sem based e-beam lithography (EBL) technique : buffered oxide etch (BOE) profile
بواسطة: Nur Nazihah Halemi