Study of aspect ratio performance on silicon oxide etching using profiler meter, AFM and SEM
The scope of this final year project is to get a high aspect ratio for etch profile using wet etching technique. After etching process using Buffered Oxide Etch (BOE), the structure profile had to viewed under profiler meter, Atomic Forces Microscopy (AFM) Scanning Electron Microscope (SEM).
שמור ב:
מחבר ראשי: | Nur Syuhada Md. Desa (Author) |
---|---|
פורמט: | אלקטרוני תכנה Database |
שפה: | English |
נושאים: | |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
פריטים דומים
-
Reactive ion etching (RIE) etched wet-silica-on-silicon analysis for fluidwettability
מאת: Noor Aini Hamimah Abd. Rahim -
Study of the effect of different gases parameter in dry etching process on etch rate profile
מאת: Zaharah Mohamad -
MIMOS Semiconductor (M) Sdn. Bhd. (MySem)
מאת: Mohammad Hifzan Saibudin -
Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
מאת: Mohamad Fadzli Ali -
Nanostructure formation using sem based e-beam lithography (EBL) technique : buffered oxide etch (BOE) profile
מאת: Nur Nazihah Halemi