Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Wedi'i Gadw mewn:
| Prif Awdur: | |
|---|---|
| Fformat: | Electronig Meddalwedd Cronfa ddata |
| Iaith: | English |
| Pynciau: | |
| Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|
Gwaith Cynnal a Chadw ar y Gweill
Rydym yn gwneud gwaith cynnal a chadw ar ein System Rheoli'r Llyfrgell ar hyn o bryd
Nid yw gwybodaeth am y stoc nac am argaeledd yr eitemau ar gael ar hyn o bryd. Rydym yn ymddiheuro am unrhyw anhwylustod. Cysylltwch â ni am ragor o wybodaeth.