Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Формат: | Електронний ресурс Програмне забезпечення База даних |
| Мова: | English |
| Предмети: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Будьте першим, хто залишить коментар!