Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | الكتروني برمجيات قاعدة البيانات |
| اللغة: | English |
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
النظام قيد الصيانة
نظام إدارة مكتبتنا قيد الصيانة حاليا.
معلومات إتاحة المواد والمقتنيات غير متاحة حاليا. الرجاء قبول اعتذارنا عن أي إزعاج قد يسببه ذلك والاتصال بنا للمزيد من المساعدة: