Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Guardat en:
Autor principal: | |
---|---|
Format: | Electrònic Software Base de dades |
Idioma: | English |
Matèries: | |
Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Sistema fora de servei per tasques de manteniment
El catàleg està fora de servei temporalment per tasques de manteniment
La informació de disponibilitat dels exemplars no està disponible en aquests moments, sentim les inconveniències: