Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation

TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Chuah, Soo Kiet (VerfasserIn)
Format: Elektronisch Software Datenbank
Sprache:English
Schlagworte:
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Wegen Wartungsarbeiten nicht verfügbar

Unser Bibliotheksverwaltungssystem ist momentan wegen Wartungsarbeiten nicht verfügbar.

Bestandes- und Verfügbarkeitsinformationen können momentan leider nicht angezeigt werden. Wir entschuldigen uns für die Umstände und stehen für weitere Fragen gerne zur Verfügung:

david@pintaran.my