Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Λογισμικό Βάση Δεδομένων |
| Γλώσσα: | English |
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Σύστημα σε κατάσταση συντήρησης
Ο κατάλογος της βιβλιοθήκης βρίσκεται σε κατάσταση συντήρησης.
Η κατάσταση των τεκμηρίων δεν είναι διαθέσιμη αυτή τη στιγμή. Ζητούμε συγγνώμη για το πρόβλημα. Επικοινωνήστε μαζί μας αν χρειάζεστε βοήθεια: