Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Gorde:
| Egile nagusia: | |
|---|---|
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Software Datu-basea |
| Hizkuntza: | English |
| Gaiak: | |
| Etiketak: |
Etiketa erantsi
Etiketarik gabe, Izan zaitez lehena erregistro honi etiketa jartzen!
|
Sistema mantentze lanetan ari da
Mantentze lanak direla eta, gure Liburutegia Kudeatzeko Sistema ez dago erabilgarri.
Item-en erabilgarritasunari buruzko informazioa ez dabil momento honetan. Mesedez, barkatu eragozpenak. Nahi baduzu, kontakta dezakezu zerbitzu teknikoarekin laguntza gehiagorako: