Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Tietokoneohjelma Tietokanta |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Järjestelmä pois käytöstä
Kirjastojärjestelmä on juuri nyt pois käytöstä.
Saatavuustiedot eivät ole juuri nyt käytettävissä. Pahoittelemme tästä aiheutunutta vaivaa. Voitte ottaa yhteyttä: