Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Sábháilte in:
| Príomhchruthaitheoir: | |
|---|---|
| Formáid: | Leictreonach Bogearraí Bunachar sonraí |
| Teanga: | English |
| Ábhair: | |
| Clibeanna: |
Cuir clib leis
Níl clibeanna ann, Bí ar an gcéad duine le clib a chur leis an taifead seo!
|
Cothabháil á déanamh ar an gcóras
Níl fáil ar ár mbunachar sonraí beo faoi láthair.
Labhair le ball foirne sula gcuirfidh tú iarratas isteach toisc go bhféadfadh sé nach bhfuil an fhaisnéis atá á taispeáint anseo cothrom le dáta.