Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Zapisane w:
| 1. autor: | |
|---|---|
| Format: | Elektroniczne Oprogramowanie Baza danych |
| Język: | English |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Z powodu przeglądu technicznego niedostępne
Niestety! Z powodu przeglądu technicznego system jest niedostępny.
Niestety! Status dostępu obecnie nie stoi do dyspozycji - skontaktuj się z biblioteką.