Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
|---|---|
| Format: | Elektronski Software Database |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
Vzdrževanje sistema
Trenutno vzdržujemo knjižnični informacijski sistem.
Informacije o zalogi so trenutno nedostopne. Opravičujemo se za nevšečnosti in vas prosimo da nas ponovno kontaktirate: