Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Sparad:
| Huvudupphovsman: | |
|---|---|
| Materialtyp: | Elektronisk Datorprogram Databas |
| Språk: | English |
| Ämnen: | |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Systemet under underhåll
Bibliotekssystemet är närvarande under underhåll.
Tillgänglighetsinformation kan inte visas för tillfället. Vi beklagar störningen. Kontakta oss om problemet kvarstår: