Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Materyal Türü: | Elektronik Yazılım Veritabanı |
| Dil: | English |
| Konular: | |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
Sistem Bakımda
Kütüphane sistemimiz bakımda.
Kopya kayıtları ve kayıların durum bilgileri şu anda erişilebilir değil. Bunun için özür dileriz, daha fazla yardım için bizimle irtibata geçebilirsiniz: