Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Hệ thống đang được bảo trì
Hệ thống quản lý thư viện của chúng tôi hiện đang được bảo trì.
Thông tin về trạng thái tài khoản và mục khả dụng hiện không khả dụng. Vui lòng chấp nhận lời xin lỗi của chúng tôi vì bất kỳ sự bất tiện nào mà điều này có thể gây ra và liên hệ với chúng tôi để được hỗ trợ thêm: