Simulation of 0.35 Um NMOS process based on UniMAP Cleanroom facilities
The goal of this project is to simulate a 0.35um negative-metal-oxide-semiconductor (NMOS) process based on UniMAP cleanroom facilities and to study the feasibility of adopting this process using cleanroom facilities. The result of the simulation will be compared with UC Berkeley 0.35um process desi...
Збережено в:
| Автор: | |
|---|---|
| Формат: | Електронний ресурс Програмне забезпечення База даних |
| Мова: | English |
| Предмети: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Будьте першим, хто залишить коментар!