Simulation of 0.35 Um NMOS process based on UniMAP Cleanroom facilities

The goal of this project is to simulate a 0.35um negative-metal-oxide-semiconductor (NMOS) process based on UniMAP cleanroom facilities and to study the feasibility of adopting this process using cleanroom facilities. The result of the simulation will be compared with UC Berkeley 0.35um process desi...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Izny Atikah Ahmad Fahmi (Autor)
Médium: Elektronický zdroj Program Databáze
Jazyk:English
Témata:
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Právě probíhá údržba systému

Právě probíhá údržba knihovního systému.

V současné době nejsou dostupné informace o dostupnosti. Omlouváme se Vám za nepříjemnosti. Neváhejte nás kontaktovat a my se pokusíme zjistit požadované informace jinou cestou:

david@pintaran.my