Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | الكتروني برمجيات قاعدة البيانات |
| اللغة: | English |
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
النظام قيد الصيانة
نظام إدارة مكتبتنا قيد الصيانة حاليا.
معلومات إتاحة المواد والمقتنيات غير متاحة حاليا. الرجاء قبول اعتذارنا عن أي إزعاج قد يسببه ذلك والاتصال بنا للمزيد من المساعدة: