Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক সফটওয়্যার উপাত্তকোষ |
| ভাষা: | English |
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
পদ্ধতিটি রক্ষণাবেক্ষণের অধীনে
বর্তমানে আমাদের গ্রন্থাগার ব্যবস্থাপনা পদ্ধতিটি রক্ষণাবেক্ষণের অধীনে।
হোল্ডিংস এবং উপাদানটির প্রাপ্যতা বর্তমানে অনুপলব্ধ। আপনার সবরকম অসুবিধার জন্য আমরা দুঃখিত এবং অন্যান্য সহায়তার জন্য আমাদের সাথে যোগাযোগ করুনঃ