Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Guardat en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Format: | Electrònic Software Base de dades |
| Idioma: | English |
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
Sistema fora de servei per tasques de manteniment
El catàleg està fora de servei temporalment per tasques de manteniment
La informació de disponibilitat dels exemplars no està disponible en aquests moments, sentim les inconveniències: