Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Μορφή: | Ηλεκτρονική πηγή Λογισμικό Βάση Δεδομένων |
| Γλώσσα: | English |
| Θέματα: | |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Σύστημα σε κατάσταση συντήρησης
Ο κατάλογος της βιβλιοθήκης βρίσκεται σε κατάσταση συντήρησης.
Η κατάσταση των τεκμηρίων δεν είναι διαθέσιμη αυτή τη στιγμή. Ζητούμε συγγνώμη για το πρόβλημα. Επικοινωνήστε μαζί μας αν χρειάζεστε βοήθεια: