Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Tallennettuna:
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Elektroninen Tietokoneohjelma Tietokanta |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Järjestelmä pois käytöstä
Kirjastojärjestelmä on juuri nyt pois käytöstä.
Saatavuustiedot eivät ole juuri nyt käytettävissä. Pahoittelemme tästä aiheutunutta vaivaa. Voitte ottaa yhteyttä: