Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Sábháilte in:
| Príomhchruthaitheoir: | |
|---|---|
| Formáid: | Leictreonach Bogearraí Bunachar sonraí |
| Teanga: | English |
| Ábhair: | |
| Clibeanna: |
Cuir clib leis
Níl clibeanna ann, Bí ar an gcéad duine le clib a chur leis an taifead seo!
|
Cothabháil á déanamh ar an gcóras
Níl fáil ar ár mbunachar sonraí beo faoi láthair.
Labhair le ball foirne sula gcuirfidh tú iarratas isteach toisc go bhféadfadh sé nach bhfuil an fhaisnéis atá á taispeáint anseo cothrom le dáta.