Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Spremljeno u:
| Glavni autor: | |
|---|---|
| Format: | Elektronički Softver Baza podataka |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|
Sustav se trenutačno održava
Naš sustav za upravljanje knjižnicom se trenutačno održava.
Informacije o dostupnosti primjeraka i djela trenutačno nisu dostupne. Ispričavamo se zbog prouzročenih neugodnosti. Slobodno nas kontaktiraj radi daljnje pomoći: