Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Ծրագրային ապահովում Շտեմարան |
| Լեզու: | English |
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Համակարգը սպասարկվում է
Մեր գրադարանի կառավարման համակարգը ներկայումս գտնվում է սպասարկման փուլում:
Պահումների և նյութերի առկայության մասին տեղեկատվությունը ներկայումս անհասանելի է: Խնդրում ենք ընդունել մեր ներողամտությունը պատճառած անհարմարության համար և կապվեք մեզ հետ հետագա օգնության համար.