Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Bewaard in:
| Hoofdauteur: | |
|---|---|
| Formaat: | Elektronisch Software Databank |
| Taal: | English |
| Onderwerpen: | |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
Het systeem is offline vanwege onderhoudswerken
Ons bibliotheek beheerssysteem is momenteel in onderhoud.
Reserveringen en beschikbaarheid van items momenteel niet beschikbaar. Met onze excuses. Contacteer ons voor hulp: