Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
|---|---|
| Format: | Elektronski Software Database |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
Vzdrževanje sistema
Trenutno vzdržujemo knjižnični informacijski sistem.
Informacije o zalogi so trenutno nedostopne. Opravičujemo se za nevšečnosti in vas prosimo da nas ponovno kontaktirate: