Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Sparad:
| Huvudupphovsman: | |
|---|---|
| Materialtyp: | Elektronisk Datorprogram Databas |
| Språk: | English |
| Ämnen: | |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Systemet under underhåll
Bibliotekssystemet är närvarande under underhåll.
Tillgänglighetsinformation kan inte visas för tillfället. Vi beklagar störningen. Kontakta oss om problemet kvarstår: