Effect of different dielectric materials for ultrathin oxide
This final year project is about performance of ultrathin gate oxide using Silicon Nitride to replace the Silicon Dioxide as dielectric materials and use the Synopsys's Taurus TCAD tools to fabricate virtual semiconductor devices as a virtual fabrication environment.
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Hệ thống đang được bảo trì
Hệ thống quản lý thư viện của chúng tôi hiện đang được bảo trì.
Thông tin về trạng thái tài khoản và mục khả dụng hiện không khả dụng. Vui lòng chấp nhận lời xin lỗi của chúng tôi vì bất kỳ sự bất tiện nào mà điều này có thể gây ra và liên hệ với chúng tôi để được hỗ trợ thêm: