Fabrication and simulation of pnp bipolar transistor basedvon spin on dopant technique and electrical characterrization
This final year project cover of fabrication and simulation of pnp bipolar transistor based on electrical characterization and dopant concentration. From fabrication, the process will began from design mask layout, ion implantation, photolithography, diffusion and metallization. Then, a four point p...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Ծրագրային ապահովում Շտեմարան |
| Լեզու: | English |
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|