Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Recurso Eletrônico Software Base de Dados |
| Idioma: | English |
| Assuntos: | |
| Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Sistema em Manutenção
O sistema está em manutenção.
A informação da disponibilidade do(s) exemplar(es) não está disponível de momento; por favor, aceite as nossas desculpas por qualquer inconveniente que isso possa causar e contate-nos para obter ajuda: