Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Spremljeno u:
| Glavni autor: | |
|---|---|
| Format: | Elektronički Softver Baza podataka |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|
Sustav se trenutačno održava
Naš sustav za upravljanje knjižnicom se trenutačno održava.
Informacije o dostupnosti primjeraka i djela trenutačno nisu dostupne. Ispričavamo se zbog prouzročenih neugodnosti. Slobodno nas kontaktiraj radi daljnje pomoći: