Study of the thickness of the silicon dioxide on wafer using dry and wet oxidation method
This final year project focused on four goals: to study the dry and wet oxidation thickness, to grow a thin layer of silicon dioxide (SiO2) on Si wafer, to determine the parameter required for thickness needed, and to compare with the simulation and theoretical thickness to achieve the most accurate...
Shranjeno v:
| Glavni avtor: | |
|---|---|
| Format: | Elektronski Software Database |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
Vzdrževanje sistema
Trenutno vzdržujemo knjižnični informacijski sistem.
Informacije o zalogi so trenutno nedostopne. Opravičujemo se za nevšečnosti in vas prosimo da nas ponovno kontaktirate: