Study of the effect of different gases parameter in dry etching process on etch rate profile
The principal focus of this project is dry etching technique by using the Inductively Couple Plasma -Reactive Ion Etching (ICP-RIE). This final year project is about to understand and control the equipment for dry etches process. The equipment in dry etch process is inductively couple plasma- reacti...
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Zaharah Mohamad (Tác giả) |
---|---|
Định dạng: | Điện tử Phần mềm Cơ sở dữ liệu |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Reactive ion etching (RIE) etched wet-silica-on-silicon analysis for fluidwettability
Bằng: Noor Aini Hamimah Abd. Rahim -
Study of aspect ratio performance on silicon oxide etching using profiler meter, AFM and SEM
Bằng: Nur Syuhada Md. Desa -
Comparison of etching optimization process by taguchi method using minitab and design expert software
Bằng: Azleen Abu Talib -
Dry Etching Technology for Semiconductors /
Bằng: Nojiri, Kazuo
Được phát hành: (2015) -
Design and fabricate "wineglass" contact formation by simultaneous wet-dry etch process.
Bằng: Mohd Norhafiz Bin. Hashim