Fabrication and Characterization of Poly-Silicon Dioxide Nanogap Based on Capacitive Sensor by using Size Expansion Technique /
The aim of this research is to design, fabricate and characterize an array of planar nanogap capacitive sensor based on Poly-SiO2 structure by using size expansion technique.
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Թեզիս Ծրագրային ապահովում էլ․ գիրք |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
Perlis, Malaysia
School of Nanoelectronic Engineering
2012.
|
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
| Ամփոփում: | The aim of this research is to design, fabricate and characterize an array of planar nanogap capacitive sensor based on Poly-SiO2 structure by using size expansion technique. |
|---|---|
| Ֆիզիկական նկարագրություն: | 1 CD-ROM 12 cm |
| Մատենագիտություն: | Includes bibliographical references (pages 80-83). |