Performance of A1GaAs, GaAs, InGaAs and GaN in High Electron Mobility Transistor (HEMT) /

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1. Verfasser: Nor Farahiza Mohd Fisal (VerfasserIn)
Format: Software E-Book
Sprache:English
Veröffentlicht: 2013.
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Perpustakaan Laman Hikmah Kampus Induk, UTeM: 1

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Signatur: TK7871.96.B55 .N42 2013
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Media Room, Perpustakaan Laman Hikmah Kampus Induk, UTeM: 5

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Signatur: CDR 09633
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