Performance of A1GaAs, GaAs, InGaAs and GaN in High Electron Mobility Transistor (HEMT) /

Bewaard in:
Bibliografische gegevens
Hoofdauteur: Nor Farahiza Mohd Fisal (Auteur)
Formaat: Software E-boek
Taal:English
Gepubliceerd in: 2013.
Onderwerpen:
Tags: Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
Omschrijving
Beschrijving item:Accompanied by CD : CDR 09633.
Fysieke beschrijving:xviii, 76 pages : colour illustrations, charts ; 30 cm + 1 computer disc (12 cm)