Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Gardado en:
| Autor Principal: | |
|---|---|
| Formato: | Electrónico Software Base de Datos |
| Idioma: | English |
| Subjects: | |
| Tags: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Sistema en mantemento
O noso Sistema de Biblioteca atópase en mantemento
Neste momento non hai información de existencias e dispoñibilidade de copias. Por favor acepte as nosas desculpas polos inconvenientes causados, contacte connosco para unha maior información