Investigation and modelling of boron diffusion reduction in silicon by fluorine implantation using numerical simulation
TThe objective of this project is to investigate the reduction of both the boron thermal diffusion and transient enhanced diffusion in silicon by fluorine implantation at the silicon surface.
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակ: | |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Էլեկտրոնային Ծրագրային ապահովում Շտեմարան |
| Լեզու: | English |
| Խորագրեր: | |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|
Համակարգը սպասարկվում է
Մեր գրադարանի կառավարման համակարգը ներկայումս գտնվում է սպասարկման փուլում:
Պահումների և նյութերի առկայության մասին տեղեկատվությունը ներկայումս անհասանելի է: Խնդրում ենք ընդունել մեր ներողամտությունը պատճառած անհարմարության համար և կապվեք մեզ հետ հետագա օգնության համար.